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SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8

compliant

SISA12ADN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.37290 -
6,000 $0.34870 -
15,000 $0.33660 -
30,000 $0.33000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2070 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/morceau
AOT20S60L
IPL60R650P6SATMA1
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/morceau
BSO130P03SHXUMA1
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/morceau
DMT5015LFDF-7
STW56N65M2-4
STW56N65M2-4
$0 $/morceau
SIHFR220-GE3
SIHFR220-GE3
$0 $/morceau

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