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SISA14BDN-T1-GE3

SISA14BDN-T1-GE3

SISA14BDN-T1-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

non conforme

SISA14BDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
6000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 21A (Ta), 72A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 917 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

RF6E045AJTCR
RF6E045AJTCR
$0 $/morceau
AOT16N50
FQPF20N06L
FQPF20N06L
$0 $/morceau
IRFB7440GPBF
FDMS037N08B
FDMS037N08B
$0 $/morceau
PMCB60XNZ
PMCB60XNZ
$0 $/morceau
RF1S45N02L
RF1S45N02L
$0 $/morceau
PSMN3R0-30MLC,115
FDMS86105
FDMS86105
$0 $/morceau
VN0300L-G-P002

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