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SISA18BDN-T1-GE3

SISA18BDN-T1-GE3

SISA18BDN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

non conforme

SISA18BDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Ta), 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 680 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8PT
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

NDD01N60-1G
NDD01N60-1G
$0 $/morceau
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
$0 $/morceau
STD9N40M2
STD9N40M2
$0 $/morceau
IRFHM3911TRPBF
AON7406
SI2102-TP
SI2102-TP
$0 $/morceau
DMNH15H110SK3-13
PMN25ENEAX
PMN25ENEAX
$0 $/morceau
PSMN1R6-40YLC,115
BSS806NH6327XTSA1

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