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SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

compliant

SISA26DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.33814 -
6,000 $0.31482 -
15,000 $0.30316 -
30,000 $0.29680 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2247 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

STW70N65DM6-4
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/morceau
2N7002NXAKR
2N7002NXAKR
$0 $/morceau
APT60M60JLL
BSC160N15NS5ATMA1
SI4116DY-T1-E3
SI4116DY-T1-E3
$0 $/morceau
DMN67D8LW-13
SI3493DDV-T1-GE3
DMT3006LDK-7
R6030JNZ4C13
R6030JNZ4C13
$0 $/morceau

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