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SISA66DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

non conforme

SISA66DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
6,000 $0.41476 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3014 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

IRFI4410ZPBF
IXFA12N65X2-TRL
IXFA12N65X2-TRL
$0 $/morceau
IXTP80N10T
IXTP80N10T
$0 $/morceau
IRF620PBF
IRF620PBF
$0 $/morceau
DMN4020LFDE-13
RU1C002UNTCL
RU1C002UNTCL
$0 $/morceau
STF11N65M5
STF11N65M5
$0 $/morceau
SUD23N06-31-T4-GE3

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