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SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

non conforme

SISF00DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.69749 -
6,000 $0.66474 -
15,000 $0.64135 -
721 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 53nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2700pF @ 15V
puissance - max 69.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SCD
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD
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Numéro de pièce associé

DMN3032LFDBQ-13
EM6K7T2CR
EM6K7T2CR
$0 $/morceau
SQ4532AEY-T1_BE3
DMP2060UFDB-7
NTMFD4901NFT1G
NTMFD4901NFT1G
$0 $/morceau
SI4948BEY-T1-E3
SIZ704DT-T1-GE3
FDMS3604AS
IRF7342TRPBF
BUK9K35-60RAX
BUK9K35-60RAX
$0 $/morceau

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