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SISF02DN-T1-GE3

SISF02DN-T1-GE3

SISF02DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

compliant

SISF02DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.63000 $1.63
500 $1.6137 $806.85
1000 $1.5974 $1597.4
1500 $1.5811 $2371.65
2000 $1.5648 $3129.6
2500 $1.5485 $3871.25
41 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30.5A (Ta), 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 56nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2650pF @ 10V
puissance - max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SCD
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD
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Numéro de pièce associé

PJL9812_R2_00201
UPA2756GR-E1-A
UPA2756GR-E1-A
$0 $/morceau
2SK1949L-E
SQJ951EP-T1_BE3
CMSBN4615-HF
CMSBN4615-HF
$0 $/morceau
IXFN27N120SK
IXFN27N120SK
$0 $/morceau
MSCC60VRM45TAPG
2SJ215-E
APTM50AM17FG
AOC3868

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