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SISF20DN-T1-GE3

SISF20DN-T1-GE3

SISF20DN-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

non conforme

SISF20DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.67000 $1.67
500 $1.6533 $826.65
1000 $1.6366 $1636.6
1500 $1.6199 $2429.85
2000 $1.6032 $3206.4
2500 $1.5865 $3966.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Ta), 52A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1290pF @ 30V
puissance - max 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SCD
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SCD
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Numéro de pièce associé

SH8K10SGZETB
SH8K10SGZETB
$0 $/morceau
PMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115
$0 $/morceau
CSD83325LT
CSD83325LT
$0 $/morceau
SIZF928DT-T1-GE3
QH8JC5TCR
QH8JC5TCR
$0 $/morceau
DMG6601LVT-7
CSD87335Q3D
CSD87335Q3D
$0 $/morceau
DMC4050SSD-13
IRFR2209A
IRFR2209A
$0 $/morceau

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