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SISH114ADN-T1-GE3

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SISH114ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK

non conforme

SISH114ADN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.33053 -
6,000 $0.30908 -
15,000 $0.29835 -
30,000 $0.29250 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Ta), 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1230 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

ISL9N304AP3
STP52P3LLH6
STP52P3LLH6
$0 $/morceau
SI4430BDY-T1-E3
FDP8443
FDP8443
$0 $/morceau
SI2342DS-T1-BE3
PMN25UN,115
PMN25UN,115
$0 $/morceau
NTMFS4C029NT1G
NTMFS4C029NT1G
$0 $/morceau
BSZ123N08NS3GATMA1
AONS32310
FDV304P
FDV304P
$0 $/morceau

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