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SISH116DN-T1-GE3

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SISH116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK

non conforme

SISH116DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.87175 -
6,000 $0.84150 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

EKI10198
EKI10198
$0 $/morceau
STD95N4F3
STD95N4F3
$0 $/morceau
IRFU5505PBF
AOV11S60
IPD60R3K4CEAUMA1
FDB6021P
APT32F120J
APT32F120J
$0 $/morceau
DMN6040SFDEQ-13
FDS8896
FDS8896
$0 $/morceau

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