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SISH407DN-T1-GE3

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SISH407DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

non conforme

SISH407DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.38138 -
6,000 $0.35663 -
15,000 $0.34425 -
30,000 $0.33750 -
15000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15.4A (Ta), 25A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2760 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

PJP2NA60_T0_00001
DMN24H11DSQ-13
BSS84PWH6327XTSA1
DMN30H4D0LFDE-7
FQU3N50CTU
AON6284A
PMCM4401UPEZ
PMCM4401UPEZ
$0 $/morceau
SISS42DN-T1-GE3

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