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SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

non conforme

SISS12DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55350 -
6,000 $0.52751 -
15,000 $0.50895 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 37.5A (Ta), 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.98mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4270 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

BSP125L6327HTSA1
QS5U17TR
QS5U17TR
$0 $/morceau
IXTA80N075L2-TRL
IXTA80N075L2-TRL
$0 $/morceau
IPB107N20NAATMA1
DMN2029UVT-13
NTTFS015N04CTAG
NTTFS015N04CTAG
$0 $/morceau
FQPF45N15V2
FQPF45N15V2
$0 $/morceau
AUIRF1404
AUIRF1404
$0 $/morceau
STF13NK50Z
STF13NK50Z
$0 $/morceau

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