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SISS50DN-T1-GE3

SISS50DN-T1-GE3

SISS50DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK

non conforme

SISS50DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 45 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 29.7A (Ta), 108A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.83mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4000 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

IRFB7734PBF
NX3008NBKMB,315
IRF710STRLPBF
IRF710STRLPBF
$0 $/morceau
CSD25501F3
CSD25501F3
$0 $/morceau
NTMFS4H01NT1G
NTMFS4H01NT1G
$0 $/morceau
FDMC013P030Z
FDMC013P030Z
$0 $/morceau
SI4401FDY-T1-GE3
IRFPC50PBF
IRFPC50PBF
$0 $/morceau
FQB8N25TM
RZM001P02T2L
RZM001P02T2L
$0 $/morceau

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