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SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

non conforme

SISS54DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.06mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3450 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

PJQ2407_R1_00001
SIHB28N60EF-T5-GE3
IRFS3004TRLPBF
NTE2390
NTE2390
$0 $/morceau
BSZ037N06LS5ATMA1
IRFR420
IRFR420
$0 $/morceau
RM3401Y
RM3401Y
$0 $/morceau
NX7002AKVL
NX7002AKVL
$0 $/morceau
RM2A3P60S4
RM2A3P60S4
$0 $/morceau

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