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SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

compliant

SISS64DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3420 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 57W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13
SIDR870ADP-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
DMN1150UFB-7B
STP210N75F6
STP210N75F6
$0 $/morceau
SIHB105N60EF-GE3
SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/morceau
CSD16322Q5C
CSD16322Q5C
$0 $/morceau

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