Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK

compliant

SISS76LDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 70 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 3.3V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2780 pF @ 35 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

RFD3N08LSM9A
RFD3N08LSM9A
$0 $/morceau
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S
$0 $/morceau
SQR100N04-3M8R_GE3
STL17N60M6
STL17N60M6
$0 $/morceau
IXTY64N055T-TRL
IXTY64N055T-TRL
$0 $/morceau
DMP3008SFG-7
DMT2004UPS-13
BSC886N03LS G
NVMFWS040N10MCLT1G
NVMFWS040N10MCLT1G
$0 $/morceau
R6504KNXC7G
R6504KNXC7G
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.