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SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

non conforme

SIZ918DT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A, 28A
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 790pF @ 15V
puissance - max 29W, 100W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PowerPair® (6x5)
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Numéro de pièce associé

IRF7907TRPBF
PJS6603_S2_00001
IRF7316TRPBF
PMV50EPEA,215
PMV50EPEA,215
$0 $/morceau
ALD1110EPAL
SQJ914EP-T1_BE3
SI7923DN-T1-GE3
NDS8947
NDS8947
$0 $/morceau
APTM10TAM19FPG

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