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SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

compliant

SIZ998DT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.68530 -
6,000 $0.65104 -
15,000 $0.62656 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc), 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
puissance - max 20.2W, 32.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PowerPair® (6x5)
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Numéro de pièce associé

AON3611
BSS138DWK-13
DMN4027SSD-13
EFC4627R-TR
EFC4627R-TR
$0 $/morceau
NTMD2C02R2SG
NTMD2C02R2SG
$0 $/morceau
ALD1116PAL
SI6926ADQ-T1-E3
DMN3022LDG-7
NTND31015NZTAG
NTND31015NZTAG
$0 $/morceau

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