Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

compliant

SIZF906DT-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.74228 -
6,000 $0.70517 -
6000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
puissance - max 38W (Tc), 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PowerPair® (6x5)
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

DMC2004DWK-7
SI6933DQ
IPB65R280E6
IPG20N04S408ATMA1
SLA5212
SLA5212
$0 $/morceau
PMCXB900UELZ
PMCXB900UELZ
$0 $/morceau
DMC3060LVT-13
DMN61D9UDW-7
LM2724MX/NOPB
DMC2053UFDB-7

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.