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SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

compliant

SQ2351ES-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18414 -
6,000 $0.17226 -
15,000 $0.16038 -
30,000 $0.15206 -
2380 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

APT50N60JCCU2
STP6NK90ZFP
STP6NK90ZFP
$0 $/morceau
IPW60R125C6FKSA1
IXFH48N60X3
IXFH48N60X3
$0 $/morceau
SI01P10-TP
SI01P10-TP
$0 $/morceau
SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3
$0 $/morceau
CSD17484F4
CSD17484F4
$0 $/morceau
SSI4N60BTU
PSMN3R5-80PS,127

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