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SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

compliant

SQ2364EES-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.23826 -
6,000 $0.22374 -
15,000 $0.20922 -
30,000 $0.19906 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

AOD409
BUK7516-55A,127
BUK7516-55A,127
$0 $/morceau
FDMC8327L
FDMC8327L
$0 $/morceau
APT23F60B
APT23F60B
$0 $/morceau
AUIRF1324WL
SIHP24N65EF-GE3
SIRA22DP-T1-RE3
NTD95N02R-1G
NTD95N02R-1G
$0 $/morceau
DMP65H20D0HSS-13
IPW60R060C7XKSA1

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