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SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

compliant

SQ3425EV-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24552 -
6,000 $0.22968 -
15,000 $0.21384 -
30,000 $0.20275 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 840 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/morceau
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
DMN3023L-7
$0 $/morceau
SIHB22N60AEL-GE3
PJL9428_R2_00001
HUF75545S3S
DMP58D0LFB-7
PSMN3R7-100BSEJ
FQP2NA90

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