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SQ4282EY-T1_GE3

SQ4282EY-T1_GE3

SQ4282EY-T1_GE3

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC

compliant

SQ4282EY-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.64944 -
5,000 $0.61895 -
12,500 $0.59717 -
725 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 12.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 47nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2367pF @ 15V
puissance - max 3.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SIA907EDJT-T1-GE3
DMN53D0LDW-7
US6J12TCR
US6J12TCR
$0 $/morceau
FDS6892A
EM5K5T2R
EM5K5T2R
$0 $/morceau
CPH5617-TL-E
CPH5617-TL-E
$0 $/morceau
DMP3164LVT-7
NDC7001C
NDC7001C
$0 $/morceau
DMP2065UFDB-13
PJL9809_R2_00001

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