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SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3

MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

SOT-23

non conforme

SQ4949EY-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.77490 -
5,000 $0.73852 -
12,500 $0.71253 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.5A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1020pF @ 25V
puissance - max 3.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

HP8M31TB1
HP8M31TB1
$0 $/morceau
SLA5041
SLA5041
$0 $/morceau
SQJB46ELP-T1_BE3
BSO330N02KG
DMNH6022SSDQ-13
PJS6600_S1_00001
AON7804
ALD110802SCL
SQJ980AEP-T1_GE3
BSS138DWK-7
BSS138DWK-7
$0 $/morceau

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