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SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3

MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8

non conforme

SQ4961EY-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.70848 -
5,000 $0.67522 -
12,500 $0.65146 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.4A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1140pF @ 25V
puissance - max 3.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NVMFD5C478NLWFT1G
NVMFD5C478NLWFT1G
$0 $/morceau
ZXMN3A04DN8TA
SQJQ904E-T1_GE3
DMN33D9LV-7
DMN33D9LV-7
$0 $/morceau
SI4943CDY-T1-E3
NTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G
$0 $/morceau
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFD4D0N04HLTWG
$0 $/morceau
ALD110814SCL
DMC3401LDW-7
CSD88537NDT
CSD88537NDT
$0 $/morceau

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