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SQ7414CENW-T1_GE3

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SQ7414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W

non conforme

SQ7414CENW-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1590 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8W
paquet / étui PowerPAK® 1212-8W
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Numéro de pièce associé

BSC0902NSIATMA1
SPS01N60C3BKMA1
AOD464
STFI7N80K5
STFI7N80K5
$0 $/morceau
CSD13306WT
CSD13306WT
$0 $/morceau
IRFRC20PBF
IRFRC20PBF
$0 $/morceau
SI3460BDV-T1-GE3
PMN280ENEAX
PMN280ENEAX
$0 $/morceau
FDP8D5N10C
FDP8D5N10C
$0 $/morceau

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