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SQJ170ELP-T1_GE3

SQJ170ELP-T1_GE3

SQJ170ELP-T1_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SQJ170ELP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.13000 $1.13
500 $1.1187 $559.35
1000 $1.1074 $1107.4
1500 $1.0961 $1644.15
2000 $1.0848 $2169.6
2500 $1.0735 $2683.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 63A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 16.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1165 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 136W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

BSP125H6327XTSA1
BSC018NE2LSIATMA1
IPA60R230P6XKSA1
SQM120P04-04L_GE3
2SK1283-AZ
AO4262E
PMV15UNEAR
PMV15UNEAR
$0 $/morceau
ZXMP2120FFTA
NVMFS5C670NLWFAFT1G
NVMFS5C670NLWFAFT1G
$0 $/morceau

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