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SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

compliant

SQJ202EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
18 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A, 60A
rds activé (max) à id, vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 975pF @ 6V
puissance - max 27W, 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Numéro de pièce associé

IPB13N03LBG
FDS6900S
FDMS3602AS
ZXMHC6A07N8TC
DMP2110UFDBQ-13
QH8K22TCR
QH8K22TCR
$0 $/morceau
ALD114913PAL
SI4936ADY-T1-E3
DMC3400SDW-13
DMN3401LDW-7

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