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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 40V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| puissance - max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | PowerPAK® SO-8 Dual |
| package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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