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SQJ412EP-T2_GE3

SQJ412EP-T2_GE3

SQJ412EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ412EP-T2_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.82764 $0.82764
500 $0.8193636 $409.6818
1000 $0.8110872 $811.0872
1500 $0.8028108 $1204.2162
2000 $0.7945344 $1589.0688
2500 $0.786258 $1965.645
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5950 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

IPTG018N08NM5ATMA1
NTNS41006PZTCG
NTNS41006PZTCG
$0 $/morceau
G1003B
G1003B
$0 $/morceau
FDP039N08B
MCG35P04-TP
MCG35P04-TP
$0 $/morceau
IRFPS37N50APBF
MCAC90N04-TP
SIHA6N80AE-GE3
SIHA6N80AE-GE3
$0 $/morceau
IGLD60R190D1SAUMA1
DMP3017SFV-13

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