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SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

non conforme

SQJ414EP-T1_BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1110 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 45W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

FDY101PZ
FDY101PZ
$0 $/morceau
IXFN240N15T2
IXFN240N15T2
$0 $/morceau
HUF76419D3ST
SIHF9630S-GE3
SIHF9630S-GE3
$0 $/morceau
IRFSL7540PBF
STH6N95K5-2
STH6N95K5-2
$0 $/morceau
SUD23N06-31-BE3
IAUC120N04S6L012ATMA1
IRL640A
IRL640A
$0 $/morceau
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/morceau

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