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SQJ422EP-T1_GE3

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SQJ422EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

non conforme

SQJ422EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.73800 -
6,000 $0.70335 -
15,000 $0.67860 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 74A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4660 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

AO3162
PJQ5468A_R2_00001
FDD4N60NZ
FDD4N60NZ
$0 $/morceau
NVMFSC1D6N06CL
NVMFSC1D6N06CL
$0 $/morceau
FQB6N50TM
ZVN4424A
ZVN4424A
$0 $/morceau
FQP9N08L
NTE66
NTE66
$0 $/morceau
IPA65R420CFD

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