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SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8

compliant

SQJ423EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.48216 -
6,000 $0.45952 -
15,000 $0.44335 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 55A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

IXTR32P60P
IXTR32P60P
$0 $/morceau
FQD4N50TF
NTE2396A
NTE2396A
$0 $/morceau
CDM22010-650 SL
HUFA75639S3ST
APT53N60BC6
IPA65R190C7
PSMN6R5-80BS,118
PMT200EN,135
PMT200EN,135
$0 $/morceau

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