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SQJ850EP-T2_GE3

SQJ850EP-T2_GE3

SQJ850EP-T2_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

non conforme

SQJ850EP-T2_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1225 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 45W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

SI1442DH-T1-GE3
IPD90P03P404ATMA2
IPS65R650CEAKMA1
SCH1345-TL-H
SCH1345-TL-H
$0 $/morceau
NVMFS5C442NWFAFT1G
NVMFS5C442NWFAFT1G
$0 $/morceau
SIE810DF-T1-GE3
SI3401A-TP
SI3401A-TP
$0 $/morceau
SQD25N06-22L_T4GE3
SI5424DC-T1-GE3
IAUC120N06S5N017ATMA1

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