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SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

compliant

SQJ914EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.51053 -
6,000 $0.48656 -
15,000 $0.46944 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1110pF @ 15V
puissance - max 27W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

AON6932A
NTMFD5C650NLT1G
NTMFD5C650NLT1G
$0 $/morceau
AO6804A
ALD114935PAL
RM6A5P30S8
RM6A5P30S8
$0 $/morceau
ALD212902PAL
IPD65R600E6
NTLUD3A50PZTAG
NTLUD3A50PZTAG
$0 $/morceau
APTC60DDAM35T3G

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