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SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8

compliant

SQJA20EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.57400 -
6,000 $0.54705 -
15,000 $0.52780 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 7.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

STD7NK40ZT4
STD7NK40ZT4
$0 $/morceau
STL12P6F6
STL12P6F6
$0 $/morceau
SQM50034E_GE3
SQM50034E_GE3
$0 $/morceau
STD2NK90Z-1
STD2NK90Z-1
$0 $/morceau
APT26M100JCU2
DMNH6012LK3Q-13
AOTF266L
IPP057N08N3GXKSA1
NTA4001NT1G
NTA4001NT1G
$0 $/morceau
AOD280A60

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