Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

compliant

SQJA82EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

NTD3817N-35G
NTD3817N-35G
$0 $/morceau
STF9NK90Z
STF9NK90Z
$0 $/morceau
APT20M16LFLLG
SISS22LDN-T1-GE3
AOWF11N70
SIHP17N80AEF-GE3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.