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SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

non conforme

SQJB80EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 80V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1400pF @ 25V
puissance - max 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

EMH2412-TL-H
EMH2412-TL-H
$0 $/morceau
PJX8828_R1_00001
CSD86350Q5DT
CSD86350Q5DT
$0 $/morceau
DMG6968UDM-7
DMP2900UV-13
CAS120M12BM2
CAS120M12BM2
$0 $/morceau
NTZD3155CT2G
NTZD3155CT2G
$0 $/morceau
SMA5133
SMA5133
$0 $/morceau
CPH3338-TL-H
CPH3338-TL-H
$0 $/morceau
SI5922DU-T1-GE3

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