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SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

compliant

SQJQ960EL-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $0.96525 -
6,000 $0.92950 -
10,000 $0.91000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 63A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1950pF @ 25V
puissance - max 71W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 8 x 8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 8 x 8 Dual
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Numéro de pièce associé

SIRB40DP-T1-GE3
AON6946
SI7980DP-T1-GE3
NX3008NBKS,115
FDS3992
FDS3992
$0 $/morceau
APTC60AM35SCTG
DMG1023UVQ-7
PMDT290UNE,115
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
$0 $/morceau

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