Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

MOSFET N-CH 30V 120A TO263

compliant

SQM120N03-1M5L_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.86995 $1495.96
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 15605 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 375W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

DMT6005LSS-13
HUF75623P3
SPB04N60C3E3045A
FDN352AP
FDN352AP
$0 $/morceau
SQA411CEJW-T1_GE3
FDBL0260N100
FDBL0260N100
$0 $/morceau
RM120N30DF
RM120N30DF
$0 $/morceau
IPL60R075CFD7AUMA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.