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SQM120N04-1M7L_GE3

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SQM120N04-1M7L_GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

non conforme

SQM120N04-1M7L_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.68300 $1346.4
1,600 $1.57080 -
2,400 $1.49226 -
5,600 $1.43616 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 285 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 14606 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 375W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

BUK7Y98-80E,115
DMP2305UQ-7
DMP2305UQ-7
$0 $/morceau
IXFQ22N60P3
IXFQ22N60P3
$0 $/morceau
DMN10H170SVTQ-13
MMFTP84W
MMFTP84W
$0 $/morceau
DMN2100UDM-7
STF24N60M6
STF24N60M6
$0 $/morceau
IRF7241TRPBF
IPZA60R099P7XKSA1
DMT35M7LFV-13

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