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SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

SOT-23

non conforme

SQS405ENW-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.43296 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2650 pF @ 6 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

BSL716SNH6327XTSA1
SPD04N60C2
IRF640PBF-BE3
IRF640PBF-BE3
$0 $/morceau
FDP2670
FDP2670
$0 $/morceau
SI7858ADP-T1-E3
BSS64E6327
STP40NF20
STP40NF20
$0 $/morceau
FCH20N60
BFL4037-1E
BFL4037-1E
$0 $/morceau

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