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SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3

SQS482EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

compliant

SQS482EN-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.40680 -
6,000 $0.38040 -
15,000 $0.36720 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1865 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
$0 $/morceau
IRL3803STRRPBF
SISS26LDN-T1-GE3
FDD2570
FDD2570
$0 $/morceau
SQ4401EY-T1_BE3
DMN24H3D5L-13
DMT68M8LFV-13
IPP016N08NF2SAKMA1
APT34F60S/TR

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