Welcome to ichome.com!

logo
Maison

SQS482ENW-T1_GE3

SQS482ENW-T1_GE3

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W

compliant

SQS482ENW-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.37290 -
6,000 $0.34870 -
15,000 $0.33660 -
30,000 $0.33000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1865 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8W
paquet / étui PowerPAK® 1212-8W
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

TPS1100PWR
TPS1100PWR
$0 $/morceau
NVTFS5116PLWFTAG
NVTFS5116PLWFTAG
$0 $/morceau
PJD90N03_L2_00001
IPP60R360CFD7XKSA1
STB5N80K5
STB5N80K5
$0 $/morceau
IRF3205STRLPBF
FDS6689S
NTD4855N-35G
NTD4855N-35G
$0 $/morceau
PSMN2R2-40BS,118
IPDD60R050G7XTMA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.