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SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V

compliant

SQS966ENW-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.39816 -
6,000 $0.37232 -
15,000 $0.35940 -
30,000 $0.35235 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.8nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 572pF @ 25V
puissance - max 27.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
paquet / étui PowerPAK® 1212-8W Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8W Dual
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Numéro de pièce associé

CSD87355Q5DT
CSD87355Q5DT
$0 $/morceau
FDG8850NZ
FDG8850NZ
$0 $/morceau
NTUD3170NZT5G
NTUD3170NZT5G
$0 $/morceau
AO4832
FDMS3600AS
ALD110904PAL
NX7002AKS,115
NX7002AKS,115
$0 $/morceau
DMN6070SSD-13
BSO211PHXUMA1

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