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SUD19N20-90-E3

SUD19N20-90-E3

SUD19N20-90-E3

MOSFET N-CH 200V 19A TO252

compliant

SUD19N20-90-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,000 $1.55853 -
6,000 $1.50445 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

AOT7N60
SIHP12N50E-BE3
SIHP12N50E-BE3
$0 $/morceau
APT5020SVFRG
HUFA75639S3ST-F085A
FDP150N10A-F102
FDP150N10A-F102
$0 $/morceau
APT39M60J
APT39M60J
$0 $/morceau
FCB199N65S3
FCB199N65S3
$0 $/morceau

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