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VQ1001P-2

VQ1001P-2

VQ1001P-2

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

VQ1001P-2 Fiche de données

non conforme

VQ1001P-2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 4 N-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 830mA
rds activé (max) à id, vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 110pF @ 15V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
paquet / étui -
package d'appareils du fournisseur 14-DIP
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Numéro de pièce associé

IRF640S2470
IRF640S2470
$0 $/morceau
SIA907EDJ-T4-GE3
GWM160-0055X1-SLSAM
GWM160-0055X1-SLSAM
$0 $/morceau
RFD3055RLESM9A
NTUD3128NT5G
NTUD3128NT5G
$0 $/morceau
FF1MR12KM1H
VQ1001P
VQ1001P
$0 $/morceau
GMM3X60-015X2-SMD
GMM3X60-015X2-SMD
$0 $/morceau
APTSM120AM08CT6AG

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