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VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

compliant

VQ1001P-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 4 N-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 830mA
rds activé (max) à id, vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 110pF @ 15V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
paquet / étui -
package d'appareils du fournisseur 14-DIP
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Numéro de pièce associé

FDMC8298
DMN3012LFG-13
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/morceau

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