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NXPSC126506Q

NXPSC126506Q

NXPSC126506Q

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

NXPSC126506Q Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.55000 $6.55
500 $6.4845 $3242.25
1000 $6.419 $6419
1500 $6.3535 $9530.25
2000 $6.288 $12576
2500 $6.2225 $15556.25
2984 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 12A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 12 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 80 µA @ 650 V
capacité à vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2
package d'appareils du fournisseur TO-220AC
température de fonctionnement - jonction 175°C (Max)
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Numéro de pièce associé

STTH1506DPI
STTH1506DPI
$0 $/morceau
SB260
SB260
$0 $/morceau
MSC050SDA070S
RFN2LAM6STR
RFN2LAM6STR
$0 $/morceau
SB10-05P-TD-E
SB10-05P-TD-E
$0 $/morceau
MBR0540-TP
MBR0540-TP
$0 $/morceau

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