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WNSC06650T6J

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

non conforme

WNSC06650T6J Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.95000 $2.95
500 $2.9205 $1460.25
1000 $2.891 $2891
1500 $2.8615 $4292.25
2000 $2.832 $5664
2500 $2.8025 $7006.25
3595 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 6A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 6 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 40 µA @ 650 V
capacité à vr, f 190pF @ 1V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui 4-VSFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (8x8)
température de fonctionnement - jonction 175°C (Max)
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Numéro de pièce associé

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